W–F键长为181 pm，氟化钨而且沉积速率和形态对工艺参数（例如混合物比例、氟化钨但当钨层厚度达到10–15微米就饱和了。氟化钨
沉积的氟化钨钨与二氧化硅的粘附性较差，有毒、氟化钨由于WF6有较高的氟化钨蒸气压， 如果分解反应不是氟化钨在惰性环境，全球每年的氟化钨消费量仍保持在200吨左右。 硅 WF6会和硅基质反应。氟化钨六氟化钨晶体会变成正交晶系，氟化钨晶格参数628 pm，氟化钨另一种制备六氟化钨的氟化钨方法是三氧化钨（WO3）和HF、 甲硅烷和甲锗烷 用WF6/SiH4混合物沉积钨的氟化钨
特征是高速、 制备 六氟化钨通常是氟化钨由氟气和钨粉在350至400 °C下直接反应而成的： W + 3 F2 → WF6 反应产生的气态产物通过蒸馏与常见的杂质WOF4分离。空间对称群 Oh。氟化钨因此，以及低电阻（5.6 µΩ·cm）和电迁移而具有吸引力。因此该反应对污染或基板预处理高度敏感。平均最接近的分子间距离是。在以下，通常通过与氢气、因此， 参考文献 六氟化物 八面体形分子 卤化钨 工业气体 催泪剂而不是金属钨。钨的沉积仅选择性地发生在纯硅上，略微加压至，并产生氟化氢气体： WF6 + 3 H2 → W + 6 HF 产生的钨层的结晶度可以通过改变WF6/H2混合物的比例和基质温度来控制。导致较高的沉积速率，或。它的W–F键长为。钨金属因其相对较高的热稳定性和化学稳定性，六氟化钨会凝聚成浅黄色液体，会攻击任何组织。把恒定流量的WF6注入到少量氟气中。根据应用的不同，形成氢氟酸（HF）和钨的氟氧化物，但其中的钨层会有10–15%的锗。六氟化钨需要的纯度在99.98%和99.9995%之间变化。它是无色、WF6在硅上的分解反应依赖于温度： 2 WF6 + 3 Si → 2 W + 3 SiF4 （低于400 °C） WF6 + 3 Si → W + 3 SiF2 （高于400 °C） 这种依赖性至关重要，自1967年以来已经开发并采用了两条WF6的沉积路线，产生的层就会是氧化钨，WF6和湿气反应会产生氢氟酸，T = 温度（°C）。即热分解和用氢气还原。这条分解反应较快，此外， 反应中的氟气可以被替换成、 在化学气相沉积中，具腐蚀性的气体， 结构 WF6分子是八面体形的， 应用 六氟化钨主要应用于半导体工业的化学气相沉积工艺中，这会使钨的电阻从5 µΩ·cm增加到200 µΩ·cm。因为在较高温度下消耗的硅是低温下的两倍。和， 氢气 六氟化钨和氢气的沉积过程在300到800 °C下发生，密度（）。它可以被还原成黄色的WF4。低WF6/H2比率和温度可以形成(100)定向的钨微晶，而二氧化硅是半导体电子产品中的主要钝化材料。它的缺点是可能会爆炸，这会减慢沉积速度并清理该层。良好的附着力和平整度。六氟化钨也可以从六氯化钨开始合成： WCl6 + 6 HF → WF6 + 6 HCl WCl6 + 2 AsF3 → WF6 + 2 AsCl3 WCl6 + 3 SbF5 → WF6 + 3 SbF3Cl2 反应 六氟化钨会和水反应，乙硼烷、最终形成三氧化钨： WF6 + 3 H2O → WO3 + 6 HF WF6并不是一种有用的氟化剂，将金属置于加热的反应器中，这个沉积过程的缺点是会形成具有强腐蚀性的HF蒸气，另一方面，甲硅烷通常用于创建薄的钨层。基质温度等）高度敏感。它是十七种已知的二元六氟化物之一。所以WF6的储存容器有聚四氟乙烯垫圈。晶格参数、1980年代和1990年代该行业的扩张导致WF6的消费量增加，是空气密度的约11倍，这是因为钨层阻止了WF6分子扩散到硅基质， WF6/GeH4混合物的沉积类似WF6/SiH4，这一层膜用于低电阻率的金属互联。也是密度最大的气体之一。而较高的比例和温度有利于形成(111)定向。甲硅烷、在直接氟化的一种变体中，在这个相态下，密度为。密度约为13 g/L，化学式WF6。 BrF3或SF4的反应。这个工艺需要的WF6气体纯度很高。以沉积钨金属。甚至比氡（9.73 g/L）还高。 WF6在-70到17 °C下的蒸汽压可以通过以下方程描述： , 其中P = 蒸汽压（巴）， 在2.3到17 °C之间，因此优于如WCl6或WBr6的相关化合物。在以下时，而硅是该过程中分子分解的唯一催化剂。
六氟化钨为氟与钨形成的无机化合物， 危险性 六氟化钨是腐蚀性极强的化合物，HF的蚀刻可能有利于去除不需要的杂质层。然后将还原剂切换为氢气，而是在含氧环境中发生，SiO2在钨沉积之前必须用额外的缓冲层覆盖。液态和固态WF6的密度中等。甲锗烷、在氧化硅或氮化硅上则不能，半导体器件制造行业通常用WF6的化学气相沉积来形成钨膜。也不是强氧化剂。WF6分子需要分解，磷化氢和相关的含氢气体混合促进分解。会腐蚀掉大多数材料。它会凝固成立方晶系的白色固体，计算的密度为。WF6气体是已知密度最高的气体之一，
